| Условное обозначение КТ852Б: | Основные параметры транзистора КТ852Б: 
 
 
 
 | Структура | P-N-P |  
 | Uк-э.макс. | 80В |  
 | Uк-б.макс. | 80В |  
 | Iк.макс. | 2,5А |  
 | Iк.имп.макс. | 4А |  
 | Pк.макс. на радиаторе | 50Вт |  
 | Uэ-б.обр.макс. | 5В |  
 | Iк.обр. | <0,5мА |  
 | h21э | >500 |  
 | Uк-э.насыщ. | <1В |  
 | Cк | <28пФ |  
 | fгр. | >7МГц |  
 | Кш | <2,5дБ |  
 | Корпус | КТ28 (TO-220) |  |