Условное обозначение КТ852Б:
|
Основные параметры транзистора КТ852Б:
Структура |
P-N-P |
Uк-э.макс. |
80В |
Uк-б.макс. |
80В |
Iк.макс. |
2,5А |
Iк.имп.макс. |
4А |
Pк.макс. на радиаторе |
50Вт |
Uэ-б.обр.макс. |
5В |
Iк.обр. |
<0,5мА |
h21э |
>500 |
Uк-э.насыщ. |
<1В |
Cк |
<28пФ |
fгр. |
>7МГц |
Кш |
<2,5дБ |
Корпус |
КТ28 (TO-220) |
|