Чертёж транзистора КТ812:
|
Характеристики транзистора КТ812Б:
Структура |
N-P-N |
Uк-э.макс. |
300В |
Uк-э.имп.макс. |
500В |
Iк.макс. |
8А |
Iк.имп.макс. (20мкс) |
12А |
Pк.макс. на радиаторе |
50Вт |
Ск |
<100пФ |
Uэ-б.обр.макс. |
7В |
Iб.макс.(имп.) |
3(4)А |
Iк.обр. (Uк=60В) |
<5мА |
h21э |
>4 |
Uк-э.насыщ. |
<2,5В |
fгр. |
>3(3,5)МГц |
Температура среды |
-45..+100°C |
Масса |
20г |
Корпус |
TO-3 |
|