|
Крепление транзистора к теплоотводу производят методом прижима через резиновую прокладку, ограничивающую нагрузку на транзистор. Толщина прокладки 1...1,5 мм, твердость 58,8...137,2 Н/см2 , усадка прокладки 0,3±0,1 мм. Расстояние от корпуса до начала изгиба выводов 2 мм. Допускается изгиб не более 2 раз. Допускается однократный изгиб выводов на угол не более 90° на расстоянии не менее 1 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1 мм. Рекомендуется учитывать возможность самовозбуждения транзистора как высокочастотного элемента и принимать меры к его устранению.
|
Характеристики транзистора 2Т652А:
| Структура |
N-P-N |
| Uк-э.макс. |
50В
|
| Uк-б.макс. |
50В |
| Iк.макс. |
1А |
| Pк.макс. |
0,5Вт |
| Uэ-б.обр.макс. |
5В |
| Iк.обр. (Uкб=50В +25С) |
<30мкА |
| Iэ.обр. (Uэб=4В +25С) |
<100мкА |
| h21э |
25-100 |
| Uк-э.насыщ. |
<0,65В |
| Uб-э.насыщ. |
<1,2В |
| fгр., не менее |
200МГц |
| Ск, не более |
12пФ |
| Сэ, не более |
110пФ |
| Tрассасывания, не более |
100нс |
| Температура среды |
-60..+125°C |
| Корпус |
КТЮ-27-3 |
|
