|
Расположение выводов м/с UM62256E-70LL:
|
Назначение выводов м/с UM 62256:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
| 1 |
A14 |
- |
Адресный вход |
| 2-10,21,23-25 |
A0-A12 |
I |
Адресные входы |
| 11-13,15-19 |
I/O1-I/O8 |
I/O |
Данные вход/выход |
| 14 |
GND |
- |
Общий |
| 20 |
CS# |
I |
Выбор кристалла |
| 22 |
OE# |
I |
Разрешение выхода |
| 26 |
A13 |
|
Адресный вход |
| 27 |
WE# |
I |
Разрешение записи |
| 28 |
Vcc |
- |
Питание |
Режимы работы CY62256E-70LL:
| CS# |
OE# |
WE# |
Режим |
I/O(1-8) |
| H |
X |
X |
Хранение |
Z |
| L |
L |
H |
Чтение |
Dout |
| L |
H |
H |
Чтение |
Z |
| L |
X |
L |
Запись |
Din |
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
|
Более подробные параметры микросхемы памяти UM6256E-70LL со внутренней структурой, временными диаграммами и графиками работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
Электрические параметры микросхемы UM62256E-70LL:
| Напряжение питания |
5V±10% |
| Напряжение питания в режиме хранения |
+2..5V |
| Ток потребления |
<70mA
|
| Ток потребления в режиме хранения |
<50µA
|
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,4V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
| Время выборки (CS, OE) |
<70nS |
| Время цикла записи |
<70nS |
|
