Схема сборки КТС3103А1
Более подробные параметры транзисторных сборок КТС3103 Вы можете получить в файле документации ниже (Datasheet на русском языке).
|
Основные параметры КТС3103А1:
Структура транзисторов |
P-N-P |
Коэффициент передачи тока |
40..200 |
Разброс по коэффициенту передачи в паре, не более |
10% |
Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц |
>6 |
Разброс коэффициентов передачи тока |
<20% |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
<0,6В |
Ток утечки между транзисторами |
<0,1мкА |
Разброс напряжений эмиттер-база |
<3мВ |
Коэффициент шума (типовой) |
4.2дБ |
Емкость коллекторного перехода |
<2,5пФ |
Емкость эмиттерного перехода |
<2,5пФ |
Постоянная времени цепи обратной связи (f=30МГц) |
80пс |
Корпус |
201.8-1
(DIP-8) |
Предельные режимы КТС3103А1:
Напряжение коллектор-эмиттер |
15В |
Напряжение коллектор-база |
15В |
Напряжение эмиттер-база |
5В |
Максимальный ток коллектора |
20мА |
Импульсный ток коллектора (10мкс) |
50мА |
Рассеиваемая мощность (суммарно) |
300мВт |
Температура среды |
-40..+85°С |
|