Схема сборки КС1НТ251
Более подробные параметры транзисторных сборок КС1НТ251 Вы можете получить в файле документации ниже (Datasheet на русском языке).
|
Основные параметры КС1НТ251:
| Структура транзисторов |
N-P-N |
| Коэффициент передачи тока |
>10 |
| Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц |
>2 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=400мА) |
<2В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=400мА) |
<2,5В |
| Обратный ток коллектора |
<20мкА |
| Обратный ток эмиттера |
<20мкА |
| Емкость коллекторного перехода |
<15пФ |
| Емкость эмиттерного перехода |
<50пФ |
| Время рассасывания |
200нс |
| Корпус |
CDIP-14 |
Предельные режимы КС1НТ251:
| Напряжение коллектор-эмиттер |
45В |
| То же импульсное Q>2, t=10мкс |
60В |
| Напряжение коллектор-база |
45В |
| Напряжение эмиттер-база |
4В |
| То же импульсное Q>2, t=10мкс |
6В |
| Максимальный ток коллектора |
400мА* |
| Импульсный ток коллектора (10мкс) |
800мА |
| Рассеиваемая мощность (суммарно) |
400мВт |
| Импульсная рассеиваемая мощность |
10Вт |
| Температура среды |
-40..+85°С |
* может быть ограничен также общей рассеиваемой мощностью.
|
