|
Предельные режимы КР198НТ1Б:
| Напряжение коллектор-эмиттер |
15В |
| Напряжение эмиттер-база |
4В |
| Максимальный ток коллектора |
10мА |
| Максимальный ток коллектора в режиме насыщения |
30мА |
| Рассеиваемая мощность (суммарно) |
100мВт |
| Температура среды |
-45..+85°С |
Схема сборки КР198НТ1Б:
|
Основные параметры КР198НТ1Б:
| Структура транзисторов |
N-P-N |
| Коэффициент передачи тока |
60..250 |
| Разброс коэффициентов передачи тока транзисторов VT1 и VT2 |
<15% |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
<0,7В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер |
<1В |
| Обратный ток коллектора |
<40нА |
| Напряжение смещения нуля дифференциальной пары VT1 и VT2 |
<4мВ |
| Корпус |
DIP-14 |
|
