| Статистика |
|
 |
|
КР159НТ1В
| Периодические поставки, Оптовые поставки по заказу | |
08.04.2019, 12:36:10 |
| ЦЕНА розничная: 10руб | от 10шт: 8руб | от 100шт: 5руб |
|
Корпус: DIP-8
|
КР159НТ1В - микросхема содержит пару высокочастотных транзисторов структуры N-P-N, выполненных на одном кристалле, предназначенных для применения во входных каскадах дифференциальных и операционных усилителей.
|
Схема сборки КР159НТ1В
 |
Основные параметры КР159НТ1В:
| Структура транзисторов |
N-P-N |
| Коэффициент передачи тока |
> 80 |
| Обратный ток коллектора |
<0,2мкА |
| Обратный ток эмиттера |
<0,5мкА |
| Напряжение насыщения эмиттер-база |
<0,55..0,75В |
| Ток утечки между транзисторами |
<0,02мкА |
| Разброс напряжений эмиттер-база |
<3мВ |
| Емкость коллекторного перехода |
<4пФ |
| Емкость эмиттерного перехода |
<5пФ |
| Корпус |
201.8-1
(DIP-8) |
Предельные режимы КР159НТ1В:
| Напряжение коллектор-эмиттер |
20В |
| Напряжение коллектор-база |
20В |
| Напряжение эмиттер-база |
4В |
| Максимальный ток коллектора |
10мА |
| Импульсный ток коллектора (30мкс) |
40мА |
| Рассеиваемая мощность (суммарно) |
50мВт |
| Температура среды |
-40..+85°С |
|
|
|
|
Производитель: "Тонди-Электроника", г.Таллин
|
ЦЕНА розничная: 10руб | от 10шт: 8руб | от 100шт: 5руб | Код товара: 6129 |
|
| Просмотров: 8097
|
|
|
