нет: 2ТС613А - Прочие микросхемы - МИКРОСХЕМЫ - Электронные компоненты (каталог) - Телефония и Электронные Компоненты
Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Прочие микросхемы

нет: 2ТС613А
Нет в наличии | 06.05.2023, 17:25:55

 

 

2ТС613А / КТС613А - микросхема содержит 4 кремниевых эпитаксиально-планарных переключающих высокочастотных транзистора структуры N-P-N, выполненных на одном кристалле, предназначенных для применения в импульсных и переключающих устройствах.

Схема сборки 2ТС613:

 

Основные параметры 2ТС613А:
Структура транзисторов N-P-N
Коэффициент передачи тока 25..100
Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц >2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=400мА) <1В
Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=400мА) 0,9..2В
Обратный ток коллектора <5мкА
Обратный ток эмиттера <10мкА
Емкость коллекторного перехода <15пФ
Емкость эмиттерного перехода <50пФ
Время рассасывания <100нс
Корпус  
 
Предельные режимы 2ТС613А:
Напряжение коллектор-эмиттер 60В
То же импульсное Q>2, t=10мкс 80В
Напряжение коллектор-база 80В
Напряжение эмиттер-база
Максимальный ток коллектора 400мА*
Импульсный ток коллектора (10мкс) 800мА
Рассеиваемая мощность (1 тр-ра) 0,5Вт
Рассеиваемая мощность (суммарно) 0,8Вт
Импульсная рассеиваемая мощность 3,2Вт
Температура среды -60..+125°С
* может быть ограничен также общей рассеиваемой мощностью.
Чертёж транзисторной сборки КТС613 / 2ТС613:

$IMAGE4$
Производитель: "Транзистор", г.Минск
Код товара: 5163
Просмотров: 507

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2024Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.