Транзистор MJE13005DF нашел широкое применение в схемах электронных балластов для люминисцентных ламп.
Более подробные параметры транзистора MJE13005DF с графиками его работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
MJE13005DF - биполярный мощный высоковольтный N-P-N транзистор с обратным диодом в изолированном корпусе.
Основные параметры MJE13005DF:
|
Uкэ(max)
|
400V
|
| Uкб(max) |
800V |
|
Iк(max)
|
5A
|
|
Iк.имп(max)
|
10A
|
|
P(max), при t=25oC
|
30W
|
|
Hfe (коэфф. передачи тока)
|
18..35
|
|
Iк.обр, не более
|
10µA
|
|
Fгр. (граничная частота)
|
4MHz
|
| Cк (емкость коллектора) |
<65pF |
| Ton/off |
0,15/0,8µS |
| Uоткр.tranz |
<0,5V (Ik=1A)
<1,0V (Ik=4A) |
| Uпр.diod |
<1,6V |
|
Корпус
|
TO-220FP
|
| Температурный диапазон |
-55..+150°C |
Схема транзистора MJE13005DF:
|
