Статистика |
|
|
|
КР556РТ4А
|
30.05.2021, 14:21:56 |
ЦЕНА розничная: 15руб | от 10шт: 12руб | от 100шт: 10руб |
Корпус: DIP-16
- Организация 256 х 4 бит
- Питание +5V.
- Выходы данных с открытым коллектором
- Однократное программирование пережиганием перемычек
- Совместимость с ТТЛ-уровнями
|
Микросхема KР556РТ4А представляет собой однократно программируемое ПЗУ, имеющее организацию: 1024бит (256 слов по 4 бита). Микросхема выполнена по технологии ТТЛШ и имеет выходы с открытым коллектором.
Основные параметры KР556РТ4А:
Uпит.раб. |
5В±5%
|
Ток потребления
|
< 130мА
|
Выходное напряжение низкого уровня |
<0,5В |
Напряжение на антизвонном диоде |
<1,2В |
Входной ток:
низкого уровня
высокого уровня
|
<0,25мА
<40мкА
|
Выходной ток высокого уровня |
<100мкА |
Время выборки разрешения
|
<30нс
|
Время выборки адреса |
<70нс |
Корпус |
238.16-2
(DIP-16)
|
Диапазон температур |
-10..+70°C |
Масса, не более |
1,2г |
Коэффициент программируемости |
>0,75* |
* По некоторым данным 0,9
|
Расположение выводов КР556РТ4(А):
|
Назначение выводов м/с КР556РТ4А:
1
|
A6 |
Вход адреса
|
2
|
A5 |
Вход адреса |
3
|
A4 |
Вход адреса |
4
|
A3 |
Вход адреса |
5
|
A0 |
Вход адреса |
6
|
A1 |
|
7
|
A2 |
|
8
|
GND |
Общий вывод |
9 |
Q4 |
Выход 4 разряда |
10 |
Q3 |
Выход 3 разряда |
11 |
Q2 |
Выход 2 разряда |
12 |
Q1 |
Выход 1 разряда |
13 |
V1 |
Вход выборки кристалла |
14
|
V2 |
Вход выборки кристалла
(также программирование) |
15 |
A7 |
Вход адреса |
16 |
+Uп |
Питание +5V |
|
Микросхемы КР556РТ4А поставляются с логическими "0" во всех ячейках. Программирование осуществляется путем прожигания перемычек внутри микросхемы по методике, описанной ниже.
Ссылка:
|
Таблица функционирования КР556РТ4(А):
Входы |
Код адреса
|
Выход |
Режим |
___
V1
|
___
V2
|
(A0-A7)
|
Q1-Q4 |
1 |
1 |
X |
1 |
Хранение |
1 |
0 |
X |
1 |
Хранение |
0 |
1 |
X |
1 |
Хранение |
0 |
0 |
A |
Данные |
Считывание |
0 - низкий уровень, 1 - высокий уровень,
X - произвольное состояние
|
Методика программирования микросхем КР556РТ4А:
В каждом цикле программируется только один разряд выбранного слова (побитное программирование).
- Исходное состояние всех ячеек "0".
- Программируются (прожигаются) только те ячейки, в которые должна быть записана логическая "1".
- В исходном состоянии напряжение на выводах 13, 14 и 16 равно нулю.
- Допускается соединение всех выходов через резисторы 300..1000ом к источнику питания 5+0.25В
- Запись бита информации производится в следующем порядке:
- На адресные входы подается код адреса слова, в котором программируется бит
- Напряжение питания повышается от 0 до 5+0.25 В, источник напряжения при этом должен обеспечить ток не менее 150 мА
- На вывод 14 подается напряжение высокого уровня 4,0..5,5В.
- На все выходы 9-12 (Q1-Q4) кроме программируемого подается напряжение высокого уровня 4,0..5,5В.
- напряжение питания повышается до 12.5+0.5 В, источник должен обеспечить ток не менее 600 мА; такое же напряжение через резистор R = 620 Ом подается на выход (Q1-Q4), соответствующий программируемому разряду, ток потребления не более 15 мА. На остальных выходах поддерживается напряжение 4,0..5,5В. В этот момент пережигается перемычка.
- Напряжение питания понижается до 0...0.5 В. Одновременно понижается напряжение на программируемом выходе.
- Напряжение на выводе 14 понижается до 0...0.5 В
- Перечисленные операции повторяют для всех программируемых разрядов слова.
- После окончания записи слова обычно производят его контроль, для чего напряжение питания устанавливают равным 5 В и выполняют цикл считывания и проверки правильности записи. Допускается контролировать информацию после записи каждого бита.
Параметры программирующих импульсов
Параметры |
Обозначение |
Минимум |
Рекомендуется |
Максимум |
Нормальный режим записи |
Длительность импульсов программирования |
T1 |
25мкс |
25мкс |
100мкс |
Число импульсов программирования на один бит |
N1 |
1000 |
1000 |
4000 |
Скважность программирующих импульсов |
Q |
5 |
10 |
20 |
Время установления адресных входов относительно напряжения питания |
t1 |
1мкс |
- |
- |
Время установления напряжения питания относительно сигнала запрета выбора микросхемы |
t2 |
1мкс |
- |
- |
Время установления сигнала запрета выбора микросхемы относительно напряжения программирования |
t3 |
1мкс |
- |
10мкс |
Время сохранения сигнала запрета выбора микросхемы относительно напряжения питания |
t4 |
1мкс |
- |
5мкс |
Время задержки сигнала выбора микросхемы относительно напряжения питания |
t5 |
0 |
0 |
5мкс |
Время задержки строба импульса контроля относительно входа выбора микросхемы |
t6 |
1мкс |
- |
- |
Время фронта и спада импульса (на уровне 0,1 и 0,9 амплитуды импульса) |
tr(tf) |
300нс |
- |
3000нс |
Дополнительный режим записи |
Длительность импульсов программирования |
T2 |
25мкс |
25мкс |
100мкс |
Число импульсов программирования на один бит |
N2 |
40 |
60 |
100 |
- Запись информации в микросхемы осуществляется путем подачи вышеуказанных напряжений в виде двух серий импульсов для каждого слова ПЗУ, в которое записывается информация
- Первая серия импульсов делается в нормальном режиме записи и заканчивается после записи информации в одно слово.
- По окончании подачи импульсов первой серии необходимо перейти к подаче второй серии импульсов.
- Если после окончания второй серии импульсов информация в одно слово не записалась, то микросхема должна быть забракована
- Микросхемы с записанной информацией рекомендуется подвергать электротермотренировке со считыванием информации с частотой 50Гц...1МГц последовательно по всем адресам микросхемы. Электротермотренировка проводится в течение 168 ч при температуре среды +70°C. Микросхемы, у которых в процессе тренировки произошла потеря записанной информации (восстановление перемычек), допускается программировать один раз повторно с новой электротермотренировкой и контролем информации.
|
Временная диаграмма записи информации в микросхему КР556РТ4А:
|
|
|
|
|
Производитель: "НЗПП" или "Гамма"
ЦЕНА розничная: 15руб | от 10шт: 12руб | от 100шт: 10руб | Код товара: 6646 |
|
Просмотров: 2316
|
|
|