• Организация 2048 х 4 бит
• Питание +5V.
• Выходы данных с открытым коллектором
• Однократное программирование пережиганием перемычек
• Совместимость с ТТЛ-уровнями

Микросхема KР556РТ14 представляет собой однократно программируемое ПЗУ, имеющее организацию: 8Кбит (2048 слов по 4 бита). Микросхема выполнена по технологии ТТЛШ и имеет выходы с открытым коллектором.

Микросхемы КР556РТ14 поставляются с логическими "0" во всех ячейках. Программирование осуществляется путем прожигания перемычек внутри микросхемы по методике, описанной ниже.

В каждом цикле программируется только один разряд выбранного слова (побитное программирование).

• Исходное состояние всех ячеек "0".
• Программируются (прожигаются) только те ячейки, в которые должна быть записана логическая "1".
• В исходном состоянии напряжение на выводах 10 и 18 равно нулю.
• Допускается соединение всех выходов через резисторы 300..1000ом к источнику питания 5+0.25В. Таким образом на все выходы подано напряжение высокого уровня.
• Запись бита информации производится в следующем порядке:
• На адресные входы подается код адреса слова, в котором программируется бит
• Напряжение питания повышается от 0 до 5+0,5 В, источник напряжения при этом должен обеспечить ток не менее 150 мА
• На вывод 10 (CS) подается напряжение высокого уровня 4,0..5,5В.
• На все выходы 9-12 (Q0-Q3) кроме программируемого подается напряжение высокого уровня 4,0..5,5В.
• напряжение питания повышается до 12.5+0.5 В, источник должен обеспечить ток не менее 600 мА; такое же напряжение через резистор R = 620 Ом подается на выход (Q0-Q3), соответствующий программируемому разряду, ток потребления не более 15 мА. На остальных выходах поддерживается напряжение 4,0..5,5В. В этот момент пережигается перемычка.
• Напряжение питания понижается до 0...0.5 В. Одновременно понижается напряжение на программируемом выходе.
• Напряжение на выводе 10 понижается до 0...0.5 В
• Перечисленные операции повторяют для всех программируемых разрядов слова.
• После окончания записи слова обычно производят его контроль, для чего напряжение питания устанавливают равным 5 В и выполняют цикл считывания и проверки правильности записи. Допускается контролировать информацию после записи каждого бита.

• Запись информации в микросхемы осуществляется путем подачи вышеуказанных напряжений в виде двух серий импульсов для каждого слова ПЗУ, в которое записывается информация
• Первая серия импульсов делается в нормальном режиме записи и заканчивается после записи информации в одно слово.
• По окончании подачи импульсов первой серии необходимо перейти к подаче второй серии импульсов.
• Если после окончания второй серии импульсов информация в одно слово не записалась, то микросхема должна быть забракована
• Микросхемы с записанной информацией рекомендуется подвергать электротермотренировке со считыванием информации с частотой 50Гц...1МГц последовательно по всем адресам микросхемы. Электротермотренировка проводится в течение 168 ч при температуре среды +70°C. Микросхемы, у которых в процессе тренировки произошла потеря записанной информации (восстановление перемычек), допускается программировать один раз повторно с новой электротермотренировкой и контролем информации.