|
Расположение выводов м/с КР537РУ2:
|
Назначение выводов м/с КР537РУ2А:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
1-6,
12-14
15-17 |
A3-A8,
A11-A9,
A0-A2 |
I |
Адресные входы |
| 7 |
DO |
O |
Выходные данные |
| 8 |
WR# |
I |
Разрешение записи |
| 9 |
GND |
- |
Общий |
| 10 |
CS# |
I |
Выбор кристалла |
| 11 |
DI |
I |
Входные данные |
| 18 |
Vcc |
- |
Питание |
Режимы работы КР537РУ2:
| CS# |
WR# |
DI |
Режим |
DO |
| 1 |
X |
X |
Хранение |
Z |
| L |
H |
X |
Чтение |
Dout |
| L |
L |
X |
Запись |
Z |
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
|
Более подробные параметры микросхемы памяти КР537РУ2А находятся в файле документации ниже.
|
Электрические параметры микросхемы КР537РУ2А:
| Напряжение питания |
5V±10% |
| Напряжение питания в режиме хранения |
+2..5V |
| Ток потребления динамический |
<20mA
|
| Ток потребления в режиме хранения |
<50µA
|
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,3V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,55V |
| Ток утечки на входе |
<2µA |
| Ток утечки на информационном выходе |
<2µA |
| Время цикла считывания |
<410nS |
| Время выборки разрешения |
<300nS |
| Время выборки адреса |
<320nS |
| Входная ёмкость |
<8pF |
| Выходная ёмкость |
<14pF |
| Максимальный ток нагрузки |
10mA |
| Максимальная ёмкость нагрузки |
1000pF |
| Диапазон температур |
-10..+70°С |
|
