|
Расположение выводов м/с КР537РУ10:
|
Назначение выводов м/с КР537РУ10:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
| 1-8,19,22,23 |
A0-A10 |
I |
Адресные входы |
| 9-11,13-17 |
I/O1-I/O8 |
I/O |
Данные вход/выход |
| 12 |
GND |
- |
Общий |
| 18 |
CS# |
I |
Выбор кристалла |
| 20 |
OE# |
I |
Разрешение выхода |
| 21 |
WE# |
I |
Разрешение записи |
| 24 |
Vcc |
- |
Питание |
Режимы работы КР537РУ10:
| CS1# |
OE# |
WE# |
Режим |
I/O(1-8) |
| H |
X |
X |
Хранение |
Z |
| L |
L |
H |
Чтение |
Dout |
| L |
H |
H |
Чтение |
Z |
| L |
X |
L |
Запись |
Din |
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
|
Более подробные параметры микросхемы памяти КР537РУ10 находятся в файле документации ниже.
|
Электрические параметры микросхемы КР537РУ10:
| Напряжение питания |
5V±5% |
| Напряжение питания в режиме хранения |
+2..5V |
| Ток потребления |
<60mA
|
| Ток потребления в режиме хранения |
<400µA
|
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,4V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
| Время выборки (CS, OE) |
<180nS |
| Время цикла записи |
<180nS |
|
