IRG4PH30K -IGBT транзистор с высокой скоростью переключения.

Основные параметры IRG4PH30K:

 

Параметр	t=+25°C	t=+100°C
Напряжение коллектор-эмиттер максимальное	1200V
Ток коллектора максимальный	20A	10A
Максимальная рассеиваемая мощность	100W	42W
Максимальное напряжение на затворе	±20V
Отпирающее напряжение на затворе	+3..+6V
Напряжение насыщения c-e	3,1..3,9 (тип.)
Ток утечки c-e (Ug=0)	<250µA
Ток утечки затвора,не более	±0,1µA
Время включения (тип.)	28nS
Время выключения (тип.)	200ns
Входная/выходная ёмкость	800/60pF
Диапазон температур	-55..+155°С