IRFP250N - Полевые импортные MOSFET - ТРАНЗИСТОРЫ - Электронные компоненты (каталог) - Телефония и Электронные Компоненты
Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRFP250N
Регулярные поставки | 26.06.2024, 18:51:04
ЦЕНА розничная: 150руб | от 10шт: 120руб | от 100шт: дог.руб

 
 
Выводы IRFP250 слева направо:
1 - Затвор(G)   2 - Сток(D)   3 - Исток (S) 
 
  • Подложка корпуса соединена со стоком

     
  • Параметры приведены при температуре +25°С
IRFP250N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор.
 
 
Основные параметры IRFP250N:
Максимальный ток стока
30А
Максимальное напряжение сток-исток
200V
Сопротивление сток-исток (откр. сост.)
<0,075 om
Максимальная мощность рассеивания
214W
Допустимое напряжение на затворе
±20V
Пороговое напряжение на затворе
+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 µA
Ток утечки стока (закр.) < 25 µA
Время включения/выключения 14/41nS (тип.)
Время восстановления диода  (исток-сток) 186nS (тип.)
Ёмкость затвор-исток 2159pF(тип.)
Ёмкость сток-исток 315pF(тип.)
Корпус
TO-247AC
Температурный диапазон -55..+150°С
 
 
Чертёж транзистора IRFP250:
 
Более подробные параметры полевого транзистора IRFP250N с временными параметрами и графиками работы Вы можете получить скачав файл документации ниже (на английском языке).
[ Скачать документацию на IRFP250N (122.3 Kb) ]
Производитель: JSM-semi
ЦЕНА розничная: 150руб | от 10шт: 120руб | от 100шт: дог.руб Код товара: 0746
Просмотров: 12056

  Т Э К
07:16:20
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2025Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.
Этот сайт использует файлы cookies для более комфортной работы пользователя. Продолжая просмотр страниц сайта, вы соглашаетесь с Политикой использования файлов cookies.