IRFP064N - Полевые импортные MOSFET - ТРАНЗИСТОРЫ - Электронные компоненты (каталог) - Телефония и Электронные Компоненты
Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRFP064N
Периодические поставки | 26.06.2023, 21:56:08
ЦЕНА розничная: 200руб | от 10шт: 170руб | от 100шт: дог.руб



 
 
Выводы IRFP064N слева направо:
1 - Затвор(G)   2 - Сток(D)   3 - Исток (S) 
 
  • Подложка корпуса соединена со стоком

     
  • Параметры приведены при температуре +25°С
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор.
 
 
Основные параметры IRFP064N:
Максимальный ток стока
110А
Максимальное напряжение сток-исток
55V
Сопротивление сток-исток (откр. сост.)
<0,008 om
Максимальная мощность рассеивания
200W
Допустимое напряжение на затворе
±20V
Пороговое напряжение на затворе
+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 µA
Ток утечки стока (закр.) < 25 µA
Время включения/выключения 14/43nS (тип.)
Время восстановления диода  (исток-сток) 110nS (тип.)
Ёмкость затвор-исток 4000pF(тип.)
Ёмкость сток-исток 1300pF(тип.)
Корпус
TO-247AC
Температурный диапазон -55..+175°С
 
 
Чертёж транзистора IRFP064N:
 
Более подробные параметры полевого транзистора IRFP064N с временными параметрами и графиками работы Вы можете получить скачав файл документации ниже (на английском языке).
[ Скачать документацию на IRFP064N (1.77 Mb) ]
Производитель: JSMICRO semi.
ЦЕНА розничная: 200руб | от 10шт: 170руб | от 100шт: дог.руб Код товара: 744
Просмотров: 15174

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2024Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.