|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRFD110 Вы можете получить скачав файл ниже:
|
Основные характеристики IRFD110:
|
Максимальный ток стока
|
1А
(8А имп.)
|
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
100V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<0,54om
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
1,3W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
±20V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2..4V
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1µA |
| Ток утечки стока (закр.) Uси=100V |
< 25µA |
| Время включения/выключения |
16/15nS |
| Входная ёмкость (тип.) |
180pF |
| Выходная ёмкость (тип.) |
81pF |
|
Корпус
|
HD-1
(DIP-4) |
|
Максимальная температура кристалла
|
+175oC
|
* Параметры IRFD110 указаны при температуре корпуса +25oC
|
