| Статистика |
|
 |
|
HY6264LP-12 (Hyundai) / HY6264AP-10
| Периодические поставки | |
09.01.2024, 20:00:04 |
| ЦЕНА розничная: 60руб | от 10шт: 50руб |
Корпус: DIP-28
|
HY6264LP-12 - микросхема статической оперативной памяти (SRAM) ёмкостью 64Кбит (8Kx8) с параллельным доступом.
- Питание: +5V
- Ёмкость 64Кбит (8Кx8)
- Время доступа: 120нс
- Корпус: DIP-28
- 0..+70ºC
- Аналог: КР537РУ17, HM6264, UT6264, HM6264, KM6264, HY6264AP-10.
|
|
Расположение выводов м/с HY6264:
|
Назначение выводов м/с HY6264LP-12:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
| 1 |
NC |
- |
Не подключен |
| 2-10,21,23-25 |
A0-A12 |
I |
Адресные входы |
| 11-13,15-19 |
I/O1-I/O8 |
I/O |
Данные вход/выход |
| 14 |
GND |
- |
Общий |
| 20 |
CS1# |
I |
Выбор кристалла |
| 22 |
OE# |
I |
Разрешение выхода |
| 26 |
SC2 |
|
Выбор кристалла |
| 27 |
WE# |
I |
Разрешение записи |
| 28 |
Vcc |
- |
Питание |
Режимы работы HY6264LP-120:
| CS1# |
CS2 |
OE# |
WE# |
Режим |
I/O(1-8) |
| H |
X |
X |
X |
Хранение |
Z |
| X |
L |
X |
X |
Хранение |
Z |
| L |
H |
L |
H |
Чтение |
Dout |
| L |
H |
H |
H |
Чтение |
Z |
| L |
H |
X |
L |
Запись |
Din |
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
|
Более подробные параметры микросхемы памяти HY6264LP-12 со внутренней структурой, временными диаграммами и графиками работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
Электрические параметры микросхемы HY6264LP-12:
| Напряжение питания |
5V±10% |
| Напряжение питания в режиме хранения |
2,0..5,5V |
| Ток потребления |
<50mA
(тип:30mA)
|
| Ток потребления в режиме хранения (типовой) |
20µA
|
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,4V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
| Время цикла записи |
<120nS |
|
|
[ Скачать документацию на HY6264LP-12 (Hyundai) / HY6264AP-10  (586.9 Kb) ]
|
Производитель: Hyundai
|
ЦЕНА розничная: 60руб | от 10шт: 50руб | Код товара: 4740 |
|
| Просмотров: 3782
|
|
|
