Расположение выводов микросхемы CY62256VLL-70ZXI:
|
Назначение выводов микросхемы CY62256VLL-70ZXI:
Номер вывода |
Обозначение |
Тип |
Назначение |
1-10,21,23-26 |
A0-A14 |
Input |
Адресные входы |
11-13,15-19 |
IO0-IO7 |
Input/Output |
Линии данных |
27 |
WE |
Control Input |
Разрешение записи
|
20 |
CE |
Control Input |
Выбор чипа
|
22 |
OE |
Control Input |
Разрешение выхода
|
14 |
GND |
Общий |
Общий вывод ("земля") |
28 |
Vcc |
Питание |
Питание +3,3V |
|
Логика работы микросхемы CY62256VLL:
CE |
WE |
OE |
Линии данных I/O |
Режим |
Потребление |
1 |
Х |
Х |
Z-состояние |
Выключено |
Пониженное
(Standby)
|
0 |
1 |
0 |
Выходы |
Чтение |
Активно |
0 |
0 |
X |
Входы |
Запись |
Активно |
0 |
1 |
1 |
Z-состояние |
Неактивно |
Активно |
1 - высокий уровень, 0 - низкий уровень, X - любое состояние.
Более подробные параметры микросхемы памяти CY62256VLL-70ZXI с временными диаграммами и графиками работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
Электрические параметры микросхемы CY62256VLL-70ZXI:
Напряжение питания |
3,3±0,3V |
Ток потребления |
<30mA
(тип. 11mА)
|
Ток потребления в режиме Standby |
<300µA
(тип. 100µA)
|
Выходное напряжение лог.0 |
<0,4V |
Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
Входное напряжение лог.0 |
<0,8V |
Входное напряжение лог.1 |
>2,2V |
Ток утечки входов |
< ±10µA |
Ток утечки выходов в Z-состоянии |
< ±10µA |
Время циклов чтения/записи |
<70nS |
|