|
Более подробные характеристики транзистора BF979 с диаграммами и графиками работы Вы можете получить скачав файл документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
Характеристики транзистора BF979:
| Структура |
P-N-P |
| Uк-э.макс. |
20В |
| Uк-б.макс. |
20В |
| Iк.макс. |
0,05А |
| Pк.макс. |
0,3Вт |
| Uэ-б.обр.макс. |
3В |
| Iкб.обр. (Uкб=15В) |
<0,1мкА |
| Iкэ.обр. (Uкэ=20В) |
<100мкА |
| Iэб.обр. (Uэб=2В) |
<10мкА |
| h21э |
20..90
(типовой 50)
|
| Ск-б |
<0,6пФ |
| fгр. |
>1,75ГГц |
Коэффициент шума
(f=800МГц, Zs=50ом, Uкэ=10В) |
<4,2дБ |
| Коэффициент усиления по мощности |
16дБ |
| Температурный диапазон |
-55..+150°C |
| Корпус |
TO-50 |
| Аналог |
КТ3109А |
|
