|
Более подробное описание транзистора BD912 с параметрами и графиками работы находится в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
Характеристики транзистора BD912:
| Uк-э.макс. |
100В |
| Uк-б.макс. |
100В |
| Iк.макс. |
15А |
| Iб.макс. |
5А |
| Pк.макс. на радиаторе |
90Вт |
| Uэ-б.обр.макс. |
5В |
| Iк.обр. (Uкэ=100В) |
< 500мкА |
| Iэ.обр. (Uкэ=100В) |
< 1000мкА |
| h21э (при Iк=0,5А) |
40..250 |
| Uк-э.насыщ. (Iк=5А) |
< 1В |
| Uк-э.насыщ. (Iк=10А) |
< 3В |
| fгр. |
>3МГц |
| Макс. температура кристалла |
+150°С |
| Корпус |
TO-220 |
| Аналог |
КТ818Г
(зеркально) |
| Комплиментарная пара |
BD911 |
|
