|
Расположение выводов м/с AT29C512-12PI:
$IMAGE2$
|
Назначение выводов м/с AT29C512:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
| 1 |
WE# |
I |
Разрешение записи |
| 2-10,21,23-25 |
A0-A12 |
I |
Адресные входы |
| 11-13,15-19 |
I/O1-I/O8 |
I/O |
Данные вход/выход |
| 14 |
GND |
- |
Общий |
| 20 |
CE# |
I |
Выбор кристалла |
| 22 |
OE# |
I |
Разрешение выхода |
| 26 |
A13 |
I |
Адресный вход |
| 27 |
A14 |
I |
Адресный вход |
| 28 |
Vcc |
- |
Питание |
Электрические параметры микросхемы AT29C256-12PI:
| Напряжение питания |
5V±10% |
| Напряжение питания в режиме хранения |
+2..5V |
| Ток потребления |
<50mA
|
| Ток потребления в режиме хранения |
<300µA
|
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,4V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
| Время выборки (CS, OE) |
<120nS |
Время цикла записи
(страница 64 байта) |
10mS |
| Время стирания чипа |
10mS |
Более подробные параметры микросхемы памяти AT29C512-12PI со внутренней структурой, временными диаграммами и графиками работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
|
Режимы работы AT29C512:
| Режим |
CS# |
OE# |
WE# |
An |
I/O(n) |
| Хранение |
H |
X |
X |
X |
Z |
| Хранение |
L |
H |
H |
X |
Z |
| Запрет записи |
X |
X |
H |
|
|
| Чтение |
L |
L |
H |
An |
Dout |
| Запись |
L |
H |
L |
An |
Din |
| 5V стирание |
L |
H |
L |
An |
|
| Высоковольтное стирание |
L |
12V |
L |
X |
Z |
| Аппаратная идентификация |
L |
L |
H |
LLLLHLLLLLLLLL
LLLLHLLLLLLLLH |
Код производителя = 1F
Код изделия = DC |
Программная идентификация
(см. документацию) |
|
|
|
A0=L
A0=H |
Код производителя = 1F
Код изделия = DC |
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
