|
|
IRF9530N - P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
|
|
|
Основные характеристики транзистора IRF9530N:
|
Максимальный ток стока
|
-14А
|
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
-100V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<0,2 om
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
79W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
+-20V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
-2..-4V
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1 uA |
| Ток утечки стока (закр.) |
< 25 uA |
| Время включения/выключения |
15/45nS (тип.) |
| Время восстановления диода |
130nS (тип.) |
| Входная/выходная ёмкость |
760/260pF |
|
Корпус
|
TO-220
|
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+175oC
|
| Аналог |
|
* Параметры IRF9530N указаны при температуре корпуса +25oC
|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF9530N Вы можете получить скачав файл ниже: | 
