|
|
IRFBE30 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в телевизионной технике и импульсных блоках питания.
|
|
|
Основные характеристики транзистора IRFBE30:
|
Максимальный ток стока
|
4,1А
|
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
800V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
< 3,0 om
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
125W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
±20V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2,0..+4,0V
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1 µA |
| Ток утечки стока (закр.) |
< 100 µA |
| Время включения/выключения |
12/82nS (тип.) |
| Входная ёмкость |
1300pF |
| Выходная ёмкость |
310pF
|
| Время восстановления диода |
480nS (тип.) |
|
Корпус
|
TO-220
|
|
Диапазон рабочих температур кристалла
|
-55..+150oC
|
* Параметры IRFBE30 указаны при температуре корпуса +25oC
|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRFBE30 Вы можете получить скачав файл ниже: | 
