|
|
IRF530N - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
|
|
|
Основные характеристики IRF530(N):
|
Максимальный ток стока
|
14А
|
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
100V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<0,16 om
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
88W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
+-20V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2..+4V
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1 uA |
| Ток утечки стока (закр.) |
< 25 uA |
| Время включения/выключения |
10/23nS (тип.) |
| Время восстановления диода |
150nS (тип.) |
|
Корпус
|
TO-220
|
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+150oC
|
* Параметры указаны при температуре корпуса +25oC
|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF530 Вы можете получить скачав файл ниже: | 
