IRF630N - Полевые импортные MOSFET - ТРАНЗИСТОРЫ - Электронные компоненты (каталог) - Телефония и Электронные Компоненты
Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRF630N
Регулярные поставки | 01.01.2022, 01:22:44
ЦЕНА розничная: 80руб | от 10шт: 70руб
IRF630N - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.

* Параметры указаны при температуре корпуса +25oC

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF630 Вы можете получить скачав файл ниже:

Основные характеристики транзистора IRF630:
Максимальный ток стока
Максимальное напряжение сток-исток
200V
Сопротивление сток-исток (откр.)
<0,4 om
Максимальная мощность рассеивания
75W
Допустимое напряжение на затворе
+-20V
Пороговое напряжение на затворе
+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/12nS (тип.)
Время восстановления диода 170nS (тип.)
Корпус
TO-220
Диапазон рабочих температур
-55..+150oC
[ Скачать документацию на IRF630N (106.9 Kb) ]
Производитель: International Rectifier или STm
ЦЕНА розничная: 80руб | от 10шт: 70руб Код товара: 729
Просмотров: 27898

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2024Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.