Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF640N Вы можете получить скачав файл ниже:
|
Основные характеристики:
Максимальный ток стока
|
18А
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
200V
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<0,15 om
(тип. 0,48 om)
|
Максимальная мощность рассеивания
|
125W
|
Допустимое напряжение на затворе
|
+-20V
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2..+4V
|
Ток утечки затвора |
< 0,1 uA |
Ток утечки стока (закр.) |
< 1 uA |
Время включения/выключения |
10/23nS (тип.) |
Время восстановления диода |
167nS (тип.) |
Корпус IRF640N
|
TO-220
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+175oC
|
Аналог |
КП750А |
* Параметры указаны при температуре корпуса +25oC
|