IRF830 - Полевые импортные MOSFET - ТРАНЗИСТОРЫ - Электронные компоненты (каталог) - Телефония и Электронные Компоненты
Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRF830
Распродажа | 01.01.2023, 01:43:48
ЦЕНА розничная: 50руб | от 10шт: 40руб | от 100шт: 35руб
IRF830 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
 

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF830 Вы можете получить скачав файл документации ниже (Datasheet на английском языке).

Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока
4,5А
Максимальное напряжение сток-исток
500V
Сопротивление сток-исток (откр.)
<1,5 om
Максимальная мощность рассеивания
75W
Допустимое напряжение на затворе
+-20V
Пороговое напряжение на затворе
+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 8/42nS (тип.)
Время восстановления диода 450nS (тип.)
Корпус
TO-220
Диапазон рабочих температур
-55..+150oC
Аналоги КП753А,2SK2661
* Параметры IRF830 указаны при температуре корпуса +25oC
Транзисторы IRF830 International Rectifier в оригинальной упаковке:

 

[ Скачать документацию на IRF830 (41.8 Kb) ]
Производитель: IR
ЦЕНА розничная: 50руб | от 10шт: 40руб | от 100шт: 35руб Код товара: 734
Просмотров: 13519

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2024Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.