|
|
IRF840 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
|
|
|
Основные характеристики IRF840:
|
Максимальный ток стока
|
8А
|
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
500V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<0,85 om
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
125W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
+-30V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2..+4V
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1 uA |
| Ток утечки стока (закр.) |
< 25 uA |
| Время включения/выключения |
11/26nS (тип.) |
| Время восстановления диода |
422nS (тип.) |
|
Корпус
|
TO-220
|
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+150oC
|
* Параметры IRF840 указаны при температуре корпуса +25oC
|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF840 Вы можете получить скачав файл ниже: | 
