| Статистика |
|
|
|
27256 (M27256-25F1)
| Ограниченная партия товара, Распродажа | |
09.03.2025, 00:53:53 |
| ЦЕНА розничная: 60руб | от 10шт: 50руб | от 100шт: 45руб |
Корпус: DIP-28
Микросхемы однократно записаны. Требуется УФ стирание информации.
|
M27256-25F1 - микросхема постоянной памяти (EPROM - электрически перепрограммируемая) ёмкостью 256Кбит (32Kx8) с параллельным доступом и ультрафиолетовым стиранием информации. Выполнена по технологии n-МОП.
- Питание: +5V в режиме чтения/хранения
- Ёмкость 256Кбит (32Кx8)
- Время доступа: 250нс
- Быстрый цикл программирования
- TTL-совместимые входы и выходы
- Напряжение программирования +12,5V
- Корпус: DIP-28
- 0..+70ºC
|
|
Расположение выводов м/с M27256-25F1:
|
Назначение выводов м/с M27256:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
| 1 |
Vpp |
I |
Напряжение программирования |
| 2-10,21,23-25 |
A0-A12 |
I |
Адресные входы |
| 11-13,15-19 |
I/O1-I/O8 |
I/O |
Данные вход/выход |
| 14 |
GND |
- |
Общий |
| 20 |
CE# |
I |
Выбор кристалла |
| 22 |
OE# |
I |
Разрешение выхода |
| 26 |
A13 |
I |
Адресный вход |
| 27 |
A14 |
I |
Адресный вход |
| 28 |
Vcc |
- |
Питание |
Параметры микросхемы M27256-25F1:
| Напряжение питания (чтение) |
+5V±10% |
| Напряжение питания (запись) |
+6V±0,25V |
| Напряжение на выводе Vpp в режиме программирования |
+12,5±0,3V |
| Напряжение на выводе A9 в режиме идентификации (Vid) |
+12±0,5V |
| Ток потребления (Vcc) |
<100mA
|
| Ток потребления в режиме хранения |
<40mA
|
| Ток программирования (Vpp=12,5V) |
<50mA |
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,45V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
| Ток утечки на выходе |
<10µA |
| Время выборки (CS, OE) |
<250nS |
| Длительность импульса программирования |
1mS |
| |
|
|
| Режимы работы микросхемы 27256.
1. ЧТЕНИЕ. Микросхема имеет два вывода управления. CE (выбор кристалла) и OE (разрешение выхода). В режиме чтения оба входа управления должны иметь низкий уровень. Высокий уровень на входе OE переводит выходы микросхемы в высокоимпеденсное состояние (Z).
2. ХРАНЕНИЕ. Высокий уровень напряжения на входе выбора кристалла (CE) переводит микросхему в режим хранения (Standby). При этом ток потребления снижается до 40мА.
3. ПРОГРАММИРОВАНИЕ. В режиме программирования напряжение на выводе Vpp повышают до 12,5V, а напряжение питания повышают до +6V. При импульсе низкого уровня на входе CE байт данных записывается по выбранному адресу.
4. ВЕРИФИКАЦИЯ. Проверка правильности программирования байта информации может производится в цикле программирования при Vpp=12,5V. Вход OE должен иметь низкий уровень. Подробнее смотрите в файле документации. Полную проверку микросхемы на правильность записи производят после завершения программирования и снижения напряжения Vpp и Vcc до +5V.
5. ИДЕНТИФИКАЦИЯ происходит при подаче напряжения +12V на вход A9. При этом с зависимости от уровня на адресном входе A0 на выходы выдаются два байта: Код производителя 20h (при A0=0), код устройства 04h (при A0=1).
6. СТИРАНИЕ информации производится жестким ультрафиолетовым излучением с длиной волны 300-400нм. Необходимая интегральная доза излучения для стирания микросхемы около 15Вт*сек/см². Время стирания обычно около 15-20 минут.
|
|
Режимы работы M27256:
| Режим |
CS# |
OE# |
Vpp |
A9 |
I/O(n) |
| Хранение |
H |
X |
+5V |
X |
Z |
| Чтение |
L |
L |
+5V |
X |
Data out |
| Запись |
L
(имп.) |
H |
+12,5V |
X |
Data in |
| Верификация |
H |
L |
+12,5V |
X |
Data out |
| Опциональная верификация |
L |
L |
+12,5V |
X |
Data out |
| Program Inhibit |
H |
H |
+12,5V |
X |
Z |
| Идентификация |
L |
L |
+5V |
+12V |
Код производителя = 20h
Код изделия = 04h |
|
|
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
Более подробные параметры микросхемы памяти M27256-25FI со внутренней структурой, временными диаграммами и графиками работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
|
[ Скачать документацию на 27256 (M27256-25F1)  (98.3 Kb) ]
|
Производитель: STm
|
ЦЕНА розничная: 60руб | от 10шт: 50руб | от 100шт: 45руб | Код товара: 1225 |
|
| Просмотров: 160
|
|
|
