|
1N4448 - импульсный малосигнальный диод. Выполнен в стеклянном цилиндрическом корпусе с гибкими проволочными выводами.
Полярность диодов 1N4448 маркируется кольцом со стороны катода.
|
Основные характеристики 1N4448:
|
Uобр.max (постоянное)
|
75V |
|
Uобр.max (импульсное)
|
100V |
|
Средний выпрямленный ток
Iпрям.max
|
150..200mA* |
| Iпрям.max (имп.=1S) |
0,5..1A* |
|
Uпрям. при I=5mA
при I=100mA
|
0,62..0,72V
<1V
|
| Iобр. (при t=+25°C, не более) |
5µA** |
| C (ёмкость перехода) |
4pF |
| Время восстановления |
4nS |
| Температура кристалла, не более |
+200°C |
| Вес |
0,15g |
| Тип корпуса |
DO-35 |
| Аналог |
~КД510А |
* Параметры диодов 1N4448 могут отличаться у различных производителей.
** Обратный ток возрастает с повышением температуры.
|
