|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора HXY10N65F Вы можете получить скачав файл ниже:
|
Основные характеристики 10N65:
|
Максимальный ток стока (при +25ºС)
|
10А
|
|
Максимальный ток стока (при +100ºС)
|
6,3A |
|
Максимальный ток стока импульсный
|
40A |
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
650V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<1,05 om
(тип: 0,86om)
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
40W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
±30V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2..+4V
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1 µA |
| Ток утечки стока (закр.) |
< 100 µA |
| Время включения/выключения |
27/53nS |
| Входная ёмкость |
1642pF |
| Выходная ёмкость |
128pF |
|
Корпус
|
TO-220FP
|
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+150oC
|
* Параметры HXY10N65F указаны при температуре корпуса +25oC
|
