Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Прочие микросхемы

КТС613Б
Периодические поставки, Оптовые поставки по заказу | 02.04.2019, 12:40:50
ЦЕНА розничная: 25руб | от 10шт: 20руб

 

 

КТС613Б - микросхема содержит 4 кремниевых эпитаксиально-планарных переключающих высокочастотных транзистора структуры N-P-N, выполненных на одном кристалле, предназначенных для применения в импульсных и переключающих устройствах.

Схема сборки КТС613Б:

 

Основные параметры КТС613Б:
Структура транзисторов N-P-N
Коэффициент передачи тока 40..200
Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц 2..5,8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=400мА) <1,2В
Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=400мА) 0,9..2В
Обратный ток коллектора <10мкА
Обратный ток эмиттера <10мкА
Емкость коллекторного перехода <50пФ
Емкость эмиттерного перехода <50пФ
Время рассасывания <100нс
Корпус  
 
Предельные режимы КТС613Б:
Напряжение коллектор-эмиттер 60В
То же импульсное Q>2, t=10мкс 70В
Напряжение коллектор-база 60В
Напряжение эмиттер-база
Максимальный ток коллектора 400мА*
Импульсный ток коллектора (10мкс) 800мА
Рассеиваемая мощность (1 тр-ра) 0,5Вт
Рассеиваемая мощность (суммарно) 0,8Вт
Импульсная рассеиваемая мощность 3,2Вт
Температура среды -40..+85°С
* может быть ограничен также общей рассеиваемой мощностью.
Чертёж транзисторной сборки КТС613Б:

Производитель: "Транзистор", г.Минск
ЦЕНА розничная: 25руб | от 10шт: 20руб Код товара: 5164
Просмотров: 92

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2019Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.