| Статистика |
|
 |
|
нет: КТС613Б
| Нет в наличии | |
02.04.2019, 12:40:19 |
| |
|
|
КТС613Б - микросхема содержит 4 кремниевых эпитаксиально-планарных переключающих высокочастотных транзистора структуры N-P-N, выполненных на одном кристалле, предназначенных для применения в импульсных и переключающих устройствах.
|
Схема сборки КТС613Б:
|
Основные параметры КТС613Б:
| Структура транзисторов |
N-P-N |
| Коэффициент передачи тока |
40..200 |
| Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц |
2..5,8 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=400мА) |
<1,2В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=400мА) |
0,9..2В |
| Обратный ток коллектора |
<10мкА |
| Обратный ток эмиттера |
<10мкА |
| Емкость коллекторного перехода |
<50пФ |
| Емкость эмиттерного перехода |
<50пФ |
| Время рассасывания |
<100нс |
| Корпус |
|
Предельные режимы КТС613Б:
| Напряжение коллектор-эмиттер |
60В |
| То же импульсное Q>2, t=10мкс |
70В |
| Напряжение коллектор-база |
60В |
| Напряжение эмиттер-база |
4В |
| Максимальный ток коллектора |
400мА* |
| Импульсный ток коллектора (10мкс) |
800мА |
| Рассеиваемая мощность (1 тр-ра) |
0,5Вт |
| Рассеиваемая мощность (суммарно) |
0,8Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность |
3,2Вт |
| Температура среды |
-40..+85°С |
* может быть ограничен также общей рассеиваемой мощностью.
|
Чертёж транзисторной сборки КТС613Б:
 |
 |
|
|
|
|
Производитель: "Транзистор", г.Минск
|
| Просмотров: 2507
|
|
|
