Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Прочие микросхемы

КТС3103Б1
Периодические поставки, Распродажа | 29.03.2019, 01:32:42
ЦЕНА розничная: 15руб | от 10шт: 12руб | от 100шт: 10руб
Корпус: DIP-8
 

КТС3103Б1 - микросхема содержит пару высокочастотных транзисторов структуры P-N-P, выполненных на одном кристалле, предназначенных для применения во входных каскадах дифференциальных и операционных усилителей.

Схема сборки КТС3103Б1

 

Более подробные параметры транзисторных сборок КТС3103 Вы можете получить в файле документации ниже (Datasheet на русском языке).

Основные параметры КТС3103Б1:
Структура транзисторов P-N-P
Коэффициент передачи тока 40..200
Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц >6
Разброс коэффициентов передачи тока <20%
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер <0,6В
Ток утечки между транзисторами <0,1мкА
Разброс напряжений эмиттер-база <3мВ
Коэффициент шума (типовой) 4.2дБ
Емкость коллекторного перехода <2,5пФ
Емкость эмиттерного перехода <2,5пФ
Постоянная времени цепи обратной связи (f=30МГц) 80пс
Корпус 201.8-1
(DIP-8)
 
Предельные режимы КТС3103Б1:
Напряжение коллектор-эмиттер 15В
Напряжение коллектор-база 15В
Напряжение эмиттер-база
Максимальный ток коллектора 20мА
Импульсный ток коллектора (10мкс) 50мА
Рассеиваемая мощность (суммарно) 300мВт
Температура среды -40..+85°С
 
[ Скачать документацию на КТС3103Б1 (298.3 Kb) ]
Производитель: "Альфа", г.Рига
ЦЕНА розничная: 15руб | от 10шт: 12руб | от 100шт: 10руб Код товара: 626
Просмотров: 91

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2019Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.