Схема сборки КТС3103Б1
Более подробные параметры транзисторных сборок КТС3103 Вы можете получить в файле документации ниже (Datasheet на русском языке).
|
Основные параметры КТС3103Б1:
| Структура транзисторов |
P-N-P |
| Коэффициент передачи тока |
40..200 |
| Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц |
>6 |
| Разброс коэффициентов передачи тока |
<20% |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
<0,6В |
| Ток утечки между транзисторами |
<0,1мкА |
| Разброс напряжений эмиттер-база |
<3мВ |
| Коэффициент шума (типовой) |
4.2дБ |
| Емкость коллекторного перехода |
<2,5пФ |
| Емкость эмиттерного перехода |
<2,5пФ |
| Постоянная времени цепи обратной связи (f=30МГц) |
80пс |
| Корпус |
201.8-1
(DIP-8) |
Предельные режимы КТС3103Б1:
| Напряжение коллектор-эмиттер |
15В |
| Напряжение коллектор-база |
15В |
| Напряжение эмиттер-база |
5В |
| Максимальный ток коллектора |
20мА |
| Импульсный ток коллектора (10мкс) |
50мА |
| Рассеиваемая мощность (суммарно) |
300мВт |
| Температура среды |
-40..+85°С |
|
