Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Прочие микросхемы

КС1НТ251
31.03.2019, 01:22:49
ЦЕНА розничная: 20руб | от 10шт: 17руб | от 100шт: 14руб
Корпус: CDIP-14
 

КС1НТ251 - микросхема содержит 4 кремниевых эпитаксиально-планарных транзистора структуры N-P-N, выполненных на одном кристалле, предназначенных для коммутации цепей в радиоэлектронной аппаратуре.

Схема сборки КС1НТ251

 

Более подробные параметры транзисторных сборок КС1НТ251 Вы можете получить в файле документации ниже (Datasheet на русском языке).

Основные параметры КС1НТ251:
Структура транзисторов N-P-N
Коэффициент передачи тока >10
Коэффициент передачи тока на частоте 100МГц >2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=400мА) <2В
Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=400мА) <2,5В
Обратный ток коллектора <20мкА
Обратный ток эмиттера <20мкА
Емкость коллекторного перехода <15пФ
Емкость эмиттерного перехода <50пФ
Время рассасывания 200нс
Корпус CDIP-14
 
Предельные режимы КС1НТ251:
Напряжение коллектор-эмиттер 45В
То же импульсное Q>2, t=10мкс 60В
Напряжение коллектор-база 45В
Напряжение эмиттер-база
То же импульсное Q>2, t=10мкс
Максимальный ток коллектора 400мА*
Импульсный ток коллектора (10мкс) 800мА
Рассеиваемая мощность (суммарно) 400мВт
Импульсная рассеиваемая мощность 10Вт
Температура среды -40..+85°С
* может быть ограничен также общей рассеиваемой мощностью.
[ Скачать документацию на КС1НТ251 (148.6 Kb) ]
Производитель: г.Воронеж
ЦЕНА розничная: 20руб | от 10шт: 17руб | от 100шт: 14руб Код товара: 6189
Просмотров: 89

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2019Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.