Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Прочие микросхемы

КР159НТ1Б
Периодические поставки, Оптовые поставки по заказу | 08.04.2019, 12:36:05
ЦЕНА розничная: 12руб | от 10шт: 10руб | от 100шт: 7руб
Корпус: DIP-8
 

КР159НТ1Б - микросхема содержит пару высокочастотных транзисторов структуры N-P-N, выполненных на одном кристалле, предназначенных для применения во входных каскадах дифференциальных и операционных усилителей.

Схема сборки КР159НТ1Б
Основные параметры КР159НТ1Б:
Структура транзисторов N-P-N
Коэффициент передачи тока 60..180
Обратный ток коллектора <0,2мкА
Обратный ток эмиттера <0,5мкА
Напряжение насыщения эмиттер-база <0,55..0,75В
Ток утечки между транзисторами <0,02мкА
Разброс напряжений эмиттер-база <3мВ
Емкость коллекторного перехода <4пФ
Емкость эмиттерного перехода <5пФ
Корпус 201.8-1
(DIP-8)
 
Предельные режимы КР159НТ1Б:
Напряжение коллектор-эмиттер 20В
Напряжение коллектор-база 20В
Напряжение эмиттер-база
Максимальный ток коллектора 10мА
Импульсный ток коллектора (30мкс) 40мА
Рассеиваемая мощность (суммарно) 50мВт
Температура среды -40..+85°С
 
Производитель: "Тонди-Электроника", г.Таллин
ЦЕНА розничная: 12руб | от 10шт: 10руб | от 100шт: 7руб Код товара: 6129
Просмотров: 49

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2019Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.