Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » IGBT транзисторы

MG100Q2YS42
Ограниченная партия товара, Распродажа | 26.03.2018, 11:57:19
ЦЕНА розничная: 1000руб

MG100Q2YS42 - Силовой транзисторный модуль из двух IGBT-транзисторов с быстрыми диодами.

Основные параметры MG100Q2YS42:
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200V
Максимальное напряжение коллектор-затвор 1200V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Максимальный ток коллектора при +25°C 100A
Максимальный импульсный ток коллектора при +25°C (1ms) 200A
Максимальная рассеиваемая мощность 700W
Напряжение открывания на затворе 3,0..6,0V
Остаточное напряжение коллектор-эмиттер (тип.) 3,0V
Время включения (тип.) 400nS
Время выключения (тип.) 800nS
Время восстановления диода (тип.) 250nS
Ток утечки коллектора (Uзэ=0) <2mA
 
Схема соединений MG100Q2YS42:


В наличии 3 штуки.
 
Чертёж IGBT-модуля MG100Q2YS42:
[ Скачать документацию на MG100Q2YS42 (253.3 Kb) ]
Производитель: Toshiba
ЦЕНА розничная: 1000руб Код товара: 1753
Просмотров: 228

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2018Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.