|
Чертёж диодного моста MB8S
|
Характеристики моста MB8S:
|
Iпрям.пост.(max)
|
0,5A
(на печатной плате)
0,8А
(на теплоотводе)
|
| Iпрям.имп.(8,3ms) |
30A |
|
Uобр.пост.(max)
|
800V
|
|
Uобр.пиков.повтор.(max)
|
800V
|
|
Uвх.перем.(max)
|
560V
(действующее)
|
|
Uпрям.пад.
|
<1,0V
(на одном диоде)
|
| Iобр. (T=+25°C) |
5µA |
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+150°С
|
| Тип корпуса |
MBS (TO-269AA) |
|
Аналог
|
MBS8, B8S
|
Более подробные характеристики диодного моста MB8S с графиками его работы Вы можете получить скачав файл документации ниже (на английском языке).
Примечание: Размеры корпуса моста MB6S указаны в миллиметрах с допусками и могут незначительно отличаться у разных производителей.
|
