|
Условное обозначение КТ852Б:
|
Основные параметры транзистора КТ852Б:
| Структура |
P-N-P |
| Uк-э.макс. |
80В |
| Uк-б.макс. |
80В |
| Iк.макс. |
2,5А |
| Iк.имп.макс. |
4А |
| Pк.макс. на радиаторе |
50Вт |
| Uэ-б.обр.макс. |
5В |
| Iк.обр. |
<0,5мА |
| h21э |
>500 |
| Uк-э.насыщ. |
<1В |
| Cк |
<28пФ |
| fгр. |
>7МГц |
| Кш |
<2,5дБ |
| Корпус |
КТ28 (TO-220) |
|