Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Микросхемы памяти

КР556РТ4А
30.05.2021, 14:21:33
ЦЕНА розничная: 15руб | от 10шт: 12руб | от 100шт: 10руб
Корпус: DIP-16
 
  • Организация 256 х 4 бит
  • Питание +5V.
  • Выходы данных с открытым коллектором
  • Однократное программирование пережиганием перемычек
  • Совместимость с ТТЛ-уровнями
 

Микросхема KР556РТ4А представляет собой однократно программируемое ПЗУ, имеющее организацию: 1024бит (256 слов по 4 бита). Микросхема выполнена по технологии ТТЛШ и имеет выходы с открытым коллектором.

Основные параметры KР556РТ4А:
Uпит.раб.
5В±5%
Ток потребления
< 130мА
Выходное напряжение низкого уровня <0,5В
Напряжение на антизвонном диоде <1,2В
Входной ток:
низкого уровня
высокого уровня
 
<0,25мА
<40мкА
Выходной ток высокого уровня <100мкА
Время выборки разрешения
<30нс
Время выборки адреса <70нс
Корпус
238.16-2
(DIP-16)
Диапазон температур -10..+70°C
Масса, не более 1,2г
Коэффициент программируемости >0,75*
* По некоторым данным 0,9
 
Расположение выводов КР556РТ4(А):
 
 
 
Назначение выводов м/с КР556РТ4А:
 
1
A6
Вход адреса
2
A5 Вход адреса
3
A4 Вход адреса
4
A3 Вход адреса
5
A0 Вход адреса
6
A1
Вход адреса
7
A2
Вход адреса
8
GND Общий вывод
9 Q4 Выход 4 разряда
10 Q3 Выход 3 разряда
11 Q2 Выход 2 разряда
12 Q1 Выход 1 разряда
13 V1 Вход выборки кристалла
14
V2 Вход выборки кристалла
(также программирование)
15 A7 Вход адреса
16 +Uп Питание +5V

Микросхемы КР556РТ4А поставляются с логическими "0" во всех ячейках.  Программирование осуществляется путем прожигания перемычек внутри микросхемы по методике, описанной ниже.

Ссылка:


Таблица функционирования КР556РТ4(А):
Входы
Код адреса
Выход Режим
___
V1
___
V2
 
(A0-A7)

Q1-Q4
1 1 X 1 Хранение
1 0 X 1 Хранение
0 1 X 1 Хранение
0 0 A Данные Считывание
0 - низкий уровень, 1 - высокий уровень,
X - произвольное состояние
 
Методика программирования микросхем КР556РТ4А:

В каждом цикле программируется только один разряд выбранного слова (побитное программирование).

  • Исходное состояние всех ячеек "0".
  • Программируются (прожигаются) только те ячейки, в которые должна быть записана логическая "1".
  • В исходном состоянии напряжение на выводах 13, 14 и 16 равно нулю.
  • Допускается соединение всех выходов через резисторы 300..1000ом к источнику питания 5+0.25В
  • Запись бита информации производится в следующем порядке:
  • На адресные входы подается код адреса слова, в котором программируется бит
  • Напряжение питания повышается от 0 до 5+0.25 В, источник напряжения при этом должен обеспечить ток не менее 150 мА
  • На вывод 14 подается напряжение высокого уровня 4,0..5,5В.
  • На все выходы 9-12 (Q1-Q4) кроме программируемого подается напряжение высокого уровня 4,0..5,5В.
  • напряжение питания повышается до 12.5+0.5 В, источник должен обеспечить ток не менее 600 мА; такое же напряжение через резистор R = 620 Ом подается на выход (Q1-Q4), соответствующий программируемому разряду, ток потребления не более 15 мА. На остальных выходах поддерживается напряжение 4,0..5,5В. В этот момент пережигается перемычка.
  • Напряжение питания понижается до 0...0.5 В. Одновременно понижается напряжение на программируемом выходе.
  • Напряжение на выводе 14 понижается до 0...0.5 В
  • Перечисленные операции повторяют для всех программируемых разрядов слова.
  • После окончания записи слова обычно производят его контроль, для чего напряжение питания устанавливают равным 5 В и выполняют цикл считывания и проверки правильности записи. Допускается контролировать информацию после записи каждого бита.
 Параметры программирующих импульсов
Параметры Обозначение Минимум Рекомендуется Максимум
Нормальный режим записи
Длительность импульсов программирования T1 25мкс 25мкс 100мкс
Число импульсов программирования на один бит N1 1000 1000 4000
Скважность программирующих импульсов Q 5 10 20
Время установления адресных входов относительно напряжения питания t1 1мкс - -
Время установления напряжения питания относительно сигнала запрета выбора микросхемы t2 1мкс - -
Время установления сигнала запрета выбора микросхемы относительно напряжения программирования t3 1мкс - 10мкс
Время сохранения сигнала запрета выбора микросхемы относительно напряжения питания t4 1мкс - 5мкс
Время задержки сигнала выбора микросхемы относительно напряжения питания t5 0 0 5мкс
Время задержки строба импульса контроля относительно входа выбора микросхемы t6 1мкс - -
Время фронта и спада импульса (на уровне 0,1 и 0,9 амплитуды импульса) tr(tf) 300нс - 3000нс
Дополнительный режим записи
Длительность импульсов программирования T2 25мкс 25мкс 100мкс
Число импульсов программирования на один бит N2 40 60 100
  • Запись информации в микросхемы осуществляется путем подачи вышеуказанных напряжений в виде двух серий импульсов для каждого слова ПЗУ, в которое записывается информация
  • Первая серия импульсов делается в нормальном режиме записи и заканчивается после записи информации в одно слово.
  • По окончании подачи импульсов первой серии необходимо перейти к подаче второй серии импульсов.
  • Если после окончания второй серии импульсов информация в одно слово не записалась, то микросхема должна быть забракована
  • Микросхемы с записанной информацией рекомендуется подвергать электротермотренировке со считыванием информации с частотой 50Гц...1МГц последовательно по всем адресам микросхемы. Электротермотренировка проводится в течение 168 ч при температуре среды +70°C. Микросхемы, у которых в процессе тренировки произошла потеря записанной информации (восстановление перемычек), допускается программировать один раз повторно с новой электротермотренировкой и контролем информации.
Временная диаграмма записи информации в микросхему КР556РТ4А:
Производитель: "Микрон"
ЦЕНА розничная: 15руб | от 10шт: 12руб | от 100шт: 10руб Код товара: 6646
Просмотров: 179

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2021Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.