Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » МИКРОСХЕМЫ » Микросхемы памяти

КР537РУ10
Периодические поставки, Распродажа | 02.08.2015, 01:46:37
ЦЕНА розничная: 20руб | от 10шт: 15руб | от 100шт: 12руб


Корпус: DIP-24

КР537РУ10 - микросхема статической оперативной памяти (SRAM) ёмкостью 16Кбит (2Kx8) с параллельным доступом. Выполнена по технологии КМОП и имеет пониженное энергопотребление в режиме хранения. 

  • Питание: +5V
  • (в режиме хранения +2..5V)
  • Ёмкость 16Кбит (2048x8)
  • Время доступа: 180нс
  • Корпус: DIP-24
  • -10..+70ºC
  • Аналог: HM6516
Расположение выводов м/с КР537РУ10:

Назначение выводов м/с КР537РУ10:
 
Номер вывода Обозначение I/O Назначение
1-8,19,22,23 A0-A10 I Адресные входы
9-11,13-17 I/O1-I/O8 I/O Данные вход/выход
12 GND - Общий
18 CS# I Выбор кристалла
20 OE# I Разрешение выхода
21 WE# I Разрешение записи
24 Vcc - Питание
 
Режимы работы КР537РУ10:
 
CS1# OE# WE# Режим I/O(1-8)
H X X Хранение Z
L L H Чтение Dout
L H H Чтение Z
L X L Запись Din

H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
 

Более подробные параметры микросхемы памяти КР537РУ10  находятся в файле документации ниже.

Электрические параметры микросхемы КР537РУ10:
Напряжение питания 5V±5%
Напряжение питания в режиме хранения +2..5V
Ток потребления
<60mA
Ток потребления в режиме хранения
<400µA
Выходное напряжение лог.0 <0,4V
Выходное напряжение лог.1 >2,4V
Время выборки (CS, OE) <180nS
Время цикла записи <180nS
[ Скачать документацию на КР537РУ10 (316.9Kb) ]
Производитель: "Интеграл", г.Минск
ЦЕНА розничная: 20руб | от 10шт: 15руб | от 100шт: 12руб Код товара: 1410
Просмотров: 1409

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2016Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.