| Параметр |
Значение |
Режим изм. |
| Входное максимальное постоянное напряжение питания |
+26..37V |
|
| Входное максимальное импульсное напряжение |
50V |
t= 100mS |
| Входное максимальное импульсное отрицательное напряжение |
-40V |
|
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус |
3°С/Вт |
|
| Максимальная температура кристалла |
+125(155)°С |
|
| Уровень срабатывания термозащиты |
+150..175°С |
|
| Канал 1 |
|
Выходное напряжение
|
5±0,15V |
|
|
Максимальный выходной ток
|
50mA |
|
| Минимальное падение напряжения |
0,45V |
Iн=50mA |
| Нестабильность по напряжению |
<25mV |
Iн=1mA |
|
Нестабильность при изменении тока нагрузки
|
<50mV |
Iн=1..50mA |
| Ток короткого замыкания выхода |
100..150mA |
|
| Канал 2 |
|
Выходное напряжение
|
6±0,45V |
|
|
Максимальный выходной ток
|
50mA |
|
| Минимальное падение напряжения |
0,45V |
|
| Нестабильность по напряжению |
<30mV |
|
|
Нестабильность при изменении тока нагрузки
|
<60mV |
|
| Ток короткого замыкания выхода |
80..130mA |
|
| Канал 3 |
|
Выходное напряжение
|
12±0,4V |
|
|
Максимальный выходной ток
|
500mA |
|
| Минимальное падение напряжения |
0,45V |
|
| Нестабильность по напряжению |
<60mV |
|
|
Нестабильность при изменении тока нагрузки
|
<120mV |
|
| Ток короткого замыкания выхода |
0,8..1,2А |
|
| Канал 4 |
|
Выходное напряжение
|
1,2±0,05V |
|
|
Максимальный выходной ток
|
50мА |
|
| Нестабильность по напряжению |
<25mV |
|
|
Нестабильность при изменении тока нагрузки
|
<25mV |
|
| Ток короткого замыкания выхода |
100..150mA |
|
| Логические входы |
| Входной ток высокого уровня |
<40µA |
|
| Входной ток низкого уровня |
<80µA |
|
| Максимально допустимое напряжение на логических входах |
6..6,5V |
|
| Схема формирования сигнала "Сброс" |
| Выходное напряжение низкого уровня на выходе "Сброс" |
<0,4V |
|
| Пороговое напряжение по выводу 10 |
2,0±0,2V |
|
| Пороговое напряжение сброса |
<4,7V |
|
| Ток заряда времязадающей ёмкости |
5..10µA |
|
