Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRFD110
Распродажа | 15.11.2019, 02:58:49
ЦЕНА розничная: 12руб | от 10шт: 10руб | от 100шт: 8руб | от 1000шт: 7,5руб


Корпус: HD-1 (DIP-4)

IRFD110 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом. Удобен для монтажа на печатную плату.

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRFD110 Вы можете получить скачав файл ниже:

Основные характеристики IRFD110:
Максимальный ток стока

(8А имп.)
Максимальное напряжение сток-исток
100V
Сопротивление сток-исток (откр.)
<0,54om
Максимальная мощность рассеивания
1,3W
Допустимое напряжение на затворе
±20V
Пороговое напряжение на затворе
+2..4V
Ток утечки затвора < 0,1µA
Ток утечки стока (закр.) Uси=100V < 25µA
Время включения/выключения 16/15nS
Входная ёмкость (тип.) 180pF
Выходная ёмкость (тип.) 81pF
Корпус
HD-1
(DIP-4)
Максимальная температура кристалла
+175oC
* Параметры IRFD110 указаны при температуре корпуса +25oC
[ Скачать документацию на IRFD110 (177.9 Kb) ]
Производитель: IR
ЦЕНА розничная: 12руб | от 10шт: 10руб | от 100шт: 8руб | от 1000шт: 7,5руб Код товара: 743
Просмотров: 110

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2020Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.