|
Расположение выводов м/с HT6264P-70:
|
Назначение выводов м/с HT6264P:
| Номер вывода |
Обозначение |
I/O |
Назначение |
| 1 |
NC |
- |
Не подключен |
| 2-10,21,23-25 |
A0-A12 |
I |
Адресные входы |
| 11-13,15-19 |
I/O1-I/O8 |
I/O |
Данные вход/выход |
| 14 |
GND |
- |
Общий |
| 20 |
CS1# |
I |
Выбор кристалла |
| 22 |
OE# |
I |
Разрешение выхода |
| 26 |
SC2 |
|
Выбор кристалла |
| 27 |
WE# |
I |
Разрешение записи |
| 28 |
Vcc |
- |
Питание |
Режимы работы HT6264P-70:
| CS1# |
CS2 |
OE# |
WE# |
Режим |
I/O(1-8) |
| H |
X |
X |
X |
Хранение |
Z |
| X |
L |
X |
X |
Хранение |
Z |
| L |
H |
L |
H |
Чтение |
Dout |
| L |
H |
H |
H |
Чтение |
Z |
| L |
H |
X |
L |
Запись |
Din |
H-высокий уровень, L-низкий уровень,
Z-высокоимпедансное состояние,
X-любое состояние.
|
|
Более подробные параметры микросхемы памяти HT6264P-70 со внутренней структурой, временными диаграммами и графиками работы находятся в файле документации ниже (Datasheet на английском языке).
|
Электрические параметры микросхемы HT6264P-70:
| Напряжение питания |
5V±10% |
| Ток потребления |
<45mA
|
| Ток потребления в режиме хранения |
<0,05mA
|
| Выходное напряжение лог.0 |
<0,4V |
| Выходное напряжение лог.1 |
>2,4V |
| Время цикла записи |
<70nS |
|
