IRF710 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом.

Основные характеристики транзистора IRF710: Максимальный ток стока 2A Максимальное напряжение сток-исток 400V Сопротивление сток-исток (откр.) < 3,6 om Максимальная мощность рассеивания 36W Допустимое напряжение на затворе +-20V Пороговое напряжение на затворе +2..+4V Ток утечки затвора < 0,1 uA Ток утечки стока (закр.) < 25 uA Время включения/выключения 12/34nS (тип.) Время восстановления диода 68nS (тип.) Входная/выходная ёмкость 135/35pF Корпус TO-220 Диапазон рабочих температур -55..+125oC * Параметры IRF710 указаны при температуре корпуса +25oC

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF710 Вы можете получить скачав файл ниже: