Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRFBE30
Регулярные поставки, Оптовые поставки по заказу | 11.02.2014, 02:24:23
ЦЕНА розничная: 35руб | от 10шт: 30руб | от 100шт: 25руб
IRFBE30 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в телевизионной технике и импульсных блоках питания.
 
Основные характеристики транзистора IRFBE30:
Максимальный ток стока
4,1А
Максимальное напряжение сток-исток
800V
Сопротивление сток-исток (откр.)
< 3,0 om
Максимальная мощность рассеивания
125W
Допустимое напряжение на затворе
±20V
Пороговое напряжение на затворе
+2,0..+4,0V
Ток утечки затвора < 0,1 µA
Ток утечки стока (закр.) < 100 µA
Время включения/выключения 12/82nS (тип.)
Входная ёмкость 1300pF
Выходная ёмкость
310pF
Время восстановления диода 480nS (тип.)
Корпус
TO-220
Диапазон рабочих температур кристалла
-55..+150oC
* Параметры IRFBE30 указаны при температуре корпуса +25oC

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRFBE30 Вы можете получить скачав файл ниже:

[ Скачать документацию на IRFBE30 (1.42Mb) ]
Производитель: IR/Vishay
ЦЕНА розничная: 35руб | от 10шт: 30руб | от 100шт: 25руб Код товара: 741
Просмотров: 4096

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2016Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.