Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта

полезная информация
Maneki Neko

Статистика

Главная » Электронные компоненты » ТРАНЗИСТОРЫ » Полевые импортные MOSFET

IRF640N
Регулярные поставки, Оптовые поставки по заказу | 30.06.2008, 01:11:17
ЦЕНА розничная: 40руб | от 10шт: 35руб | от 100шт: дог.руб
IRF640N - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
 
Основные характеристики:
Максимальный ток стока
18А
Максимальное напряжение сток-исток
200V
Сопротивление сток-исток (откр.)
<0,15 om
(тип. 0,48 om)
Максимальная мощность рассеивания
125W
Допустимое напряжение на затворе
+-20V
Пороговое напряжение на затворе
+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/23nS (тип.)
Время восстановления диода 167nS (тип.)
Корпус IRF640N
TO-220
Диапазон рабочих температур
-55..+175oC
Аналог КП750А
* Параметры указаны при температуре корпуса +25oC

Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF640N Вы можете получить скачав файл ниже:

[ Скачать документацию на IRF640N (155.4Kb) ]
Производитель: International Rectifier или STm
ЦЕНА розничная: 40руб | от 10шт: 35руб | от 100шт: дог.руб Код товара: 730
Просмотров: 11013

  Т Э К
Главная   Регистрация   Вход  
Форма входа

Поиск


Copyright "ТЭК" © 2007-2016Внимание! Информация на сайте носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной оффертой. Наличие и цену товаров уточняйте у наших менеджеров.