|
|
IRF730 - N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
|
|
|
Основные характеристики IRF730:
|
Максимальный ток стока
|
5,5А
|
|
Максимальное напряжение сток-исток
|
500V
|
|
Сопротивление сток-исток (откр.)
|
<1,0 om
|
|
Максимальная мощность рассеивания
|
75W
|
|
Допустимое напряжение на затворе
|
+-20V
|
|
Пороговое напряжение на затворе
|
+2..+4V (+2..+4,5V)
|
| Ток утечки затвора |
< 0,1 uA |
| Ток утечки стока (закр.) |
< 25 uA |
| Время включения/выключения |
10/20nS (тип.) |
| Время восстановления диода |
370nS (тип.) |
|
Корпус
|
TO-220
|
|
Диапазон рабочих температур
|
-55..+150oC
|
* Параметры указаны при температуре корпуса +25oC
|
Более подробные параметры с временными и частотными характеристиками, диаграммами и графиками работы транзистора IRF730 Вы можете получить скачав файл ниже: | 
