 |
КП303А, КП303Б, КП303Д, КП303Е (Ni) - Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом n-типа предназначены для использования в радиовещательной, приемно-усилительной, телевизионной и другой аппаратуре.
Предельные параметры полевых транзисторов КП303А,Б,Д,Е:
| Uси max |
Uзс max |
Iс max |
Iз max |
Tсреды |
Pmax (T=+25°C) |
Pmax (T=+85°C) |
| 25В |
30В |
20мА |
5мА |
-45..+85°C |
200мВт |
100мВт |
Основные характеристики транзисторов КП303А / КП303Б / КП303Д / КП303Е:
| Тип |
Iс нач. |
S |
Uз.отсечки |
Iз.утечки, не более |
С11и |
С12и |
С22и |
Режим измерения |
| КП303А |
0,5..2,5мА |
1..4мА/В |
0,5..3,0В |
1,0нА
(+25°C) |
1,0мкА
|
10мкА
(Uзи=30В) |
6пФ |
2пФ |
1,3пФ |
Uси=10В
Uзи=0В
T=+25°С |
| КП303Б |
0,5..2,5мА |
1..4мА/В |
0,5..3,0В |
| КП303Д |
3,0..9,0мА |
>2,6мА/В |
< 8,0В |
| КП303Е |
5,0..20мА |
>4,0мА/В |
< 8,0В |
С11и - входная емкость в схеме с ОИ
С12и - проходная емкость в схеме с ОИ
С22и - выходная емкость в схеме с ОИ
Чертёж корпуса и расположение выводов транзисторов КП303А,Б,Д,Е:
|
